型号:FDFMA2P853T
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:6-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:435pF @ 10V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:6-MicroFET(2x2)
包装:带卷 (TR)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:Integrated P-Channel PowerTrench? MOSFET and Schottky Diode
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