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详细参数
型号:FDD8424H
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
描述:MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
系列:PowerTrench®
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商设备封装:TO-252-4L
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mз
大 小:332K
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FDD8444_06
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6520
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查询更多FDD8444_06供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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