型号:FDD3670
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:34A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:32 毫欧 @ 7.3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2490pF @ 50V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252
包装:带卷 (TR)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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