型号：FDC855N
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6.1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：655pF @ 15V
功率_最大：800mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装：6-SSOT
包装：Digi-Reel®
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