型号:FDC653N
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
描述:MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 15V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装:6-SSOT
包装:剪切带 (CT)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
大 小:72K