型号:FDC6318P
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
描述:MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6
系列:PowerTrench®
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:455pF @ 6V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装:6-SSOT
包装:带卷 (TR)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
大 小:169K