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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:FDB6021P
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:28A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 14A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1890pF @ 10V
功率_最大:37W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263AB
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4mヘ
大 小:634K
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