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详细参数
型号:EPC2001
类别:FET - 单
制造商:EPC
封装:模具剖面(11 焊条)
描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 25A,5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 50V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:模具剖面(11 焊条)
供应商设备封装:模具剖面(11 焊条)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
大 小:297K
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