型号：EPC1001
类别：FET - 单
制造商：EPC
封装：模具剖面（11 焊条）
描述：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
系列：eGaN®
FET型：GaNFET N 通道，氮化镓
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 25A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 50V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装__外壳：模具剖面（11 焊条）
供应商设备封装：模具剖面（11 焊条）
包装：剪切带 (CT)
厂 商：TDK [ TDK Electronics ]
描 述：Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
大 小：297K
