型号:EPC1012
类别:FET - 单
制造商:EPC
封装:4-LGA
描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 5A,5V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.9nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 100V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:4-LGA
供应商设备封装:4-LGA(1.7x0.9)
包装:Digi-Reel®
厂 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
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