型号：EPC1011
类别：FET - 单
制造商：EPC
封装：7-LGA
描述：TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
系列：eGaN®
FET型：GaNFET N 通道，氮化镓
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 12A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 3mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 75V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装__外壳：7-LGA
供应商设备封装：7-LGA（3.6x1.6）
包装：Digi-Reel®
厂 商：TDK [ TDK Electronics ]
描 述：Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
大 小：297K
QQ：5645336 复制
