型号：EMD30T2R
类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商：Rohm Semiconductor
封装：SOT-563，SOT-666
描述：TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流_集电极333Ic444111最大222：100mA，200mA
电压_集电极发射极击穿111最大222：50V，30V
电阻器_基极333R1444111欧222：10k，1k
电阻器_发射极333R2444111欧222：10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA
电流_集电极截止111最大222：500nA
频率_转换：250MHz，260MHz
功率_最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：EMT6
包装：带卷 (TR)
厂 商：ROHM [ Rohm ]
描 述：Power management (dual digital transistors)
大 小：55K
