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详细参数
型号:EMB10T2R
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造商:Rohm Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666
描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
系列:-
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444111最大222:100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222:50V
电阻器_基极333R1444111欧222:2.2k
电阻器_发射极333R2444111欧222:47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止111最大222:500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:EMT6
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ROHM [ Rohm ]
描 述:General purpose (dual digital transistors)
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