型号：EFC4612R-TR
类别：FET - 单
制造商：ON Semiconductor
封装：4-XBGA，4-FCBGA
描述：MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：24V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.6W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：4-XBGA，4-FCBGA
供应商设备封装：EFCP1313-4CC-037
包装：带卷 (TR)
厂 商：ETC [ ETC ]
描 述：Low Distortion GaAs Power FET
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