型号:ECH8620-TL-E
类别:FET - 阵列
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 20V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:8-ECH
包装:剪切带 (CT)
厂 商:NIEC [ Nihon Inter Electronics Corporation ]
描 述:Schottky Barrier Diode
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