型号：DMS2120LFWB-7
类别：FET - 单
制造商：Diodes Inc
封装：8-VDFN 裸露焊盘
描述：MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：二极管（隔离式）
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：632pF @ 10V
功率_最大：1.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：8-DFN3020B（3x2）
包装：带卷 (TR)
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR? SUPER BARRIER RECTIFIER
大 小：146K
