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详细参数

型号：DMN601DMK-7

类别：FET - 阵列

制造商：Diodes Inc

封装：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26

系列：-

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 欧姆 @ 200mA，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V

功率_最大：225mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：剪切带 (CT)

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厂商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]

描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

大小：65K

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DMN66D0LT7

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