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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：DMN601DMK-7
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：SOT-23-6
描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V
功率_最大：225mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SOT-23-6
供应商设备封装：SOT-26
包装：剪切带 (CT)
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DMN62D1LFDQ-13 PDF下载
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小：65K
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D25390RFCS
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3000
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DMN62D1LFDQ-13
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20000
20000
公司宗旨:只做原装
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24+
19000
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全新原装现货，原厂代理。
查询更多DMN62D1LFDQ-13供应信息         发布时间：2025/5/19 15:40:00
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