型号:DMN62D0SFD-7
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:3-UDFN
描述:MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.87nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:30.2pF @ 25V
功率_最大:430mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:3-UDFN
供应商设备封装:3-X1DFN1212
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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