型号:DMN601DWK-7
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:305mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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