型号：DMN4009LK3-13
类别：FET - 单
制造商：Diodes Inc
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 14A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2072pF @ 20V
功率_最大：2.19W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：Digi-Reel®
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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