型号:DMN3135LVT-7
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:SOT-23-6
描述:MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 115mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.1nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:305pF @ 15V
功率_最大:840mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:TSOT26
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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