型号:DMN3033LSD-13
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:725pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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