型号:DMN3024LSD-13
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:608pF @ 15V
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)