型号:DMN2004DMK-7
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:SOT-23-6
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:550 毫欧 @ 540mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 16V
功率_最大:225mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:SOT-26
包装:Digi-Reel®
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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