型号:DMN2300UFB4-7B
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:3-XFDFN
描述:MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫欧 @ 300mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:64.3pF @ 25V
功率_最大:470mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:3-XFDFN
供应商设备封装:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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