型号:DMN2041LSD-13
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.63A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 10V
功率_最大:1.16W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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