型号:DMN2015UFDE-7
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:6-UDFN
描述:MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:11.6 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1779pF @ 10V
功率_最大:660mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-UDFN
供应商设备封装:*
包装:Digi-Reel®
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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