型号:DMN2009LSS-13
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:58.3nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2555pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:5SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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