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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：DMN2005LPK-7
类别：FET - 单
制造商：Diodes Inc
封装：3-XFDFN
描述：MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：440mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 10mA，4V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.2V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：450mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：3-XFDFN
供应商设备封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
包装：带卷 (TR)
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DMN2005LPK-7 PDF下载
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小：133K
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