型号:DMN2005DLP4K-7
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:6-SMD,无引线
描述:MOSFET DUAL N-CH 6-DFN
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 10mA,4V
Id时的Vgs333th444111最大222:900mV @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:350mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-SMD,无引线
供应商设备封装:6-DFN1310H4(1.0x1.3)
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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