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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：DMN2004DWK-7
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述：MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：540mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 16V
功率_最大：200mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：SOT-363
包装：剪切带 (CT)
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DMN2004DWK-7 PDF下载
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小：159K
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