型号：DMN100-7
类别：FET - 单
制造商：Diodes Inc
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 10V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SC-59-3
包装：带卷 (TR)
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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