型号:DMG8601UFG-7
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-UDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.8nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:143pF @ 10V
功率_最大:920mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-DFN3030(3x3)
包装:Digi-Reel®
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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