型号:DMG4511SK4-13
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
描述:MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:35V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A,5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 8mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 25V
功率_最大:1.54W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商设备封装:TO-252-4L
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:150K