型号:DMG4468LFG
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:8-UDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.62A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 11.6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.85nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:867pF @ 10V
功率_最大:990mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-DFN3030 EP(3x3)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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