型号：DMG3401LSN-7
类别：FET - 单
制造商：Diodes Inc
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P CH 30V 3A SC59
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 4A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：25.1nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1326pF @ 15V
功率_最大：800mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SC-59
包装：剪切带 (CT)
厂 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小：150K
QQ：183166527 复制
