型号:DI9942T
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:剪切带 (CT)