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详细参数

型号：CSD86311W1723

类别：FET - 阵列

制造商：Texas Instruments

封装：12-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

系列：NexFET™

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 2A，8V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：585pF @ 12.5V

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：12-UFBGA，DSBGA

供应商设备封装：12-DSBGA（2.43x1.96）

包装：带卷 (TR)

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厂商：CDIL [ Continental Device India Limited ]

描述：Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications

大小：139K

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