型号:CSD86350Q5D
类别:FET - 阵列
制造商:Texas Instruments
封装:8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
系列:NexFET™
FET型:2 个 N 通道(半桥)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 20A,8V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1870pF @ 12.5V
功率_最大:13W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)
供应商设备封装:8-SON(5x6)
包装:Digi-Reel®
厂 商:TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述:Synchronous Buck NexFET? Power Block
大 小:945K