型号：CSD86311W1723
类别：FET - 阵列
制造商：Texas Instruments
封装：12-UFBGA，DSBGA
描述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
系列：NexFET™
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 2A，8V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：585pF @ 12.5V
功率_最大：1.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：12-UFBGA，DSBGA
供应商设备封装：12-DSBGA（2.43x1.96）
包装：带卷 (TR)
厂 商：FARADAY [ Faraday Technology ]
描 述：SERIAL DIGITAL CONVERTER CARDS
大 小：59K
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