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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:CSD86311W1723
类别:FET - 阵列
制造商:Texas Instruments
封装:12-UFBGA,DSBGA
描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
系列:NexFET™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:39 毫欧 @ 2A,8V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:585pF @ 12.5V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:12-UFBGA,DSBGA
供应商设备封装:12-DSBGA(2.43x1.96)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FARADAY [ Faraday Technology ]
描 述:SERIAL DIGITAL CONVERTER CARDS
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