型号:CSD86330Q3D
类别:FET - 阵列
制造商:Texas Instruments
封装:8-LDFN
描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
系列:NexFET™
FET型:2 个 N 通道(半桥)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 14A,8V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:920pF @ 12.5V
功率_最大:6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-LDFN
供应商设备封装:8-SON(3.3x3.3)
包装:Digi-Reel®
厂 商:TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述:Synchronous Buck NexFET? Power Block
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