CSD75211W1723参数(2020年),CSD75211W1723中文资料,CSD75211W1723供应商,CSD75211W1723最新价格,CSD75211W1723货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：CSD75211W1723

类别：FET - 阵列

制造商：Texas Instruments

封装：12-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

系列：NexFET™

FET型：2 个 P 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 2A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.9nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：12-UFBGA，DSBGA

供应商设备封装：12-DSBGA（2.43x1.96）

包装：Digi-Reel®

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厂商：TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]

描述：Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET

大小：425K

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