型号:CSD75205W1015
类别:FET - 阵列
制造商:Texas Instruments
封装:6-UFBGA,DSBGA
描述:MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA
系列:NexFET™
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:850mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:265pF @ 10V
功率_最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-UFBGA,DSBGA
供应商设备封装:6-DSBGA(1x1.5)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述:P-Channel NexFET Power MOSFET
大 小:305K