型号:CSD23201W10
类别:FET - 单
制造商:Texas Instruments
封装:4-UFBGA,DSBGA
描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
系列:NexFET™
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:325pF @ 6V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:4-UFBGA,DSBGA
供应商设备封装:4-DSBGA(1x1)
包装:Digi-Reel®
厂 商:FARADAY [ Faraday Technology ]
描 述:SERIAL DIGITAL CONVERTER CARDS
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