型号:CSD17312Q5
类别:FET - 单
制造商:Texas Instruments
封装:8-TDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
系列:NexFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 毫欧 @ 35A,8V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5240pF @ 15V
功率_最大:3.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-SON
包装:带卷 (TR)
厂 商:TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述:30V N-Channel NexFET? Power MOSFET
大 小:382K