型号:BSZ0904NSI
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:8-TDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:37W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
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