型号：BSZ018NE2LS
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：8-PowerTDFN
描述：MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 12V
功率_最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerTDFN
供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装：剪切带 (CT)
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 小：1460K
