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详细参数

型号：BSZ018NE2LS

类别：FET - 单

制造商：Infineon Technologies

封装：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫欧 @ 30A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 12V

功率_最大：2.1W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-PowerTDFN

供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包装：剪切带 (CT)

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厂商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]

描述：n-Channel Power MOSFET

大小：1460K

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