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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：BST82,215
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：10 欧姆 @ 150mA，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V
功率_最大：830mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TO-236AB
包装：Digi-Reel®
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厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
大 小：63K
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